UVT, catalizator al mișcării academice timișorene, își urmează calea spre cunoașterea aprofundată și trecerea către tehnologiile viitorului și ale noilor generațiiUniversitatea de Vest din Timișoara este astăzi cea mai dinamică instituție de învățământ superior din România, o universitate care se...
În căutarea defectului util…
01 Iunie 2009
Fig. 2 (a) Imaginea HRTEM a unui defect planar {111} în Si hidrogenat;
(b) Profilul deplasãrilor atomice perpendicular pe defect;
(c) Model structural al defectului planar {111}
Prin cercetările derulate recent în laborator am identificat parametrii tratamentului în plasmă care limitează adâncimea de formare a defectelor la 50 nm. În prezent, se efectuează studii privind aplicarea unui tratament termic sau cu fascicul laser.
DrCorneliu GHICA CSI,
Institutul Naţional de C-D
pentru Fizica Materialelor
Parerea ta conteaza: 
Cercetări la INCDFM pe straturi subțiri pentru aplicații în spintronică
